High Bandwidth Flash: новый уровень между HBM и SSD
SK hynix и Sandisk представили первый открытый стандарт для High Bandwidth Flash (HBF). Анонс на FMS 2026 в Санта‑Кларе формализует HBF как новый уровень памяти между HBM и SSD, ориентированный на инфраструктуру искусственного интеллекта.
Задача HBF — совместить ёмкость NAND‑flash с пропускной способностью, приближающейся к HBM, чтобы снять узкие места по bandwidth и capacity в всё более «тяжёлых» по данным задачах AI inference.
Основные параметры первой спецификации:
- Объём до 512 ГБ на устройство
- Стек из 8 или 16 NAND‑кристаллов (8‑high / 16‑high)
- Три класса пропускной способности: примерно от 0,4 ТБ/с до 3,0 ТБ/с
- Описание электрических параметров, требований к корпусированию, надёжности и software I/O
Подключение к процессорам реализуется через UCIe (Universal Chiplet Interconnect Express), что упрощает интеграцию HBF как рядом с различными , и ИИ‑ускорителями. Спецификация опубликована в рамках как отраслевой , а не проприетарный интерфейс. В консорциум HBF уже входят и разработчик ИИ‑процессоров .
