High Bandwidth Flash: новый уровень между HBM и SSD
SK hynix и Sandisk представили первый открытый стандарт для High Bandwidth Flash (HBF). Анонс на FMS 2026 в Санта‑Кларе формализует HBF как новый уровень памяти между HBM и SSD, ориентированный на инфраструктуру искусственного интеллекта.
Задача HBF — совместить ёмкость NAND‑flash с пропускной способностью, приближающейся к HBM, чтобы снять узкие места по bandwidth и capacity в всё более «тяжёлых» по данным задачах AI inference.
Основные параметры первой спецификации:
- Объём до 512 ГБ на устройство
- Стек из 8 или 16 NAND‑кристаллов (8‑high / 16‑high)
- Три класса пропускной способности: примерно от 0,4 ТБ/с до 3,0 ТБ/с
- Описание электрических параметров, требований к корпусированию, надёжности и software I/O
Подключение к процессорам реализуется через UCIe (Universal Chiplet Interconnect Express), что упрощает интеграцию HBF как chiplet рядом с различными CPU, GPU и ИИ‑ускорителями. Спецификация опубликована в рамках Open Compute Project как отраслевой открытый стандарт, а не проприетарный интерфейс. В консорциум HBF уже входят Google и разработчик ИИ‑процессоров Tenstorrent.
Многоуровневая память и 375‑слойная 4D NAND
На FMS представители SK hynix представили архитектуру Tiered Memory, которая объединяет и оптимизирует несколько типов памяти в одной системе. По мнению компании, ни одна технология не способна одновременно удовлетворить требования по скорости, ёмкости и энергоэффективности для новых agentic AI‑приложений, поэтому необходима многоуровневая иерархия памяти.
Отдельная панель с участием SK hynix, Sandisk и Google DeepMind посвящена тому, как HBF может изменить архитектуру памяти для ИИ.
Кроме того, SK hynix впервые публично показала своё 10‑е поколение 375‑слойной 4D NAND (V10). По заявлениям компании, разрабатываемое устройство обеспечивает до 2,5× более высокую производительность на ватт по сравнению с предыдущим поколением, что важно для энергоэффективных HBF‑модулей и дата‑центрового хранения.
Источник: eeNews Europe
