Компания IBM представила первую в мире суб‑1 нм технологию чипов, продемонстрировав экспериментальное устройство на узле 0,7 нм (7 ангстрем). В кристалл размером с ноготь инженерам удалось уместить порядка 100 миллиардов транзисторов — почти в два раза больше, чем в чипах IBM на узле 2 нм, показанных в 2021 году.
Выход за пределы нанометров: к атомному масштабу
Ключ к прорыву — новая транзисторная архитектура «nanostack», первая в индустрии трёхмерная конструкция на основе nanosheet‑транзисторов:
- транзисторы вертикально штабелируются и смещаются относительно друг друга;
- используется 3D sequential integration, что резко повышает плотность размещения;
- в каждом слое можно применять разные комбинации материалов, независимо оптимизируя производительность и энергопотребление отдельных транзисторов.
По расчётам IBM, чипы на узле 0,7 нм смогут обеспечить до 50% прироста производительности или до 70% лучшую энергоэффективность по сравнению с узлом 2 нм. Это напрямую важно для генеративного ИИ, облачной инфраструктуры и следующего поколения электронных устройств.
Экспериментальное подтверждение nanostack
Исследователи IBM подтвердили реализуемость архитектуры nanostack рядом критических экспериментов:
- ультратонкое диэлектрическое соединение в CMOS‑интеграции;
- демонстрация возможности dual‑channel engineering;
- работающий CMOS‑инвертор с ожидаемыми характеристиками переключения.
Совокупность этих результатов показывает, что nanostack — не только теоретическая концепция, но и физически осуществимая технология, способная выполнять реальные вычисления в логике CMOS. Для полупроводниковой отрасли это обозначает путь за пределы классической нанометровой шкалы к атомному уровню, с потенциальным влиянием от высокопроизводительных серверов до энергоэффективных embedded‑систем.
Источник: newsroom.ibm.com
