Infineon Technologies Avropada növbəti nəsil gallium nitride (GaN) güc yarımkeçiricilərinin kütləvi istehsalı üçün böyük addım atıb. Şirkət 2034‑cü ilə qədər Avstriyanın Villax şəhərindəki zavoduna təxminən 1,1 milyard avro sərmayə qoyaraq 300 mm vaflilər üzərində dünyada ilk yüksək həcimli GaN istehsal xəttini qurur. İstehsalın 2027‑ci ilin sonuna qədər başlaması planlaşdırılır.
Infineon müəssisəsində təmiz otaqda 300 mm yarımkeçirici vafli ilə işləyən mühəndis — Şəkil: Infineon Technologies
Niyə 300 mm GaN vacibdir?
Infineon 2024‑cü ildə ilk dəfə 300 mm GaN vaflilərini emal etdiyini elan etmişdi. 300 mm vafli ənənəvi 200 mm ilə müqayisədə təxminən 2,3 dəfə çox çip verir, bu da:
- vahid çipə düşən xərci azaldır
- istehsal həcmini artırır
- GaN texnologiyasını niş bazardan kütləvi bazara çıxarmağa kömək edir
GaN güc tranzistorları sürətli açılıb‑sönmə, aşağı itkilər və az istilik sayəsində daha kiçik və səmərəli enerji çeviriciləri qurmağa imkan verir. Bu, xüsusilə AI data mərkəzləri, enerji infrastruktur sistemləri, elektromobillər, robototexnika və yüksək güclü sənaye avadanlıqları üçün kritikdir.
Avropa Çip Aktı və ekosistemə təsir
Layihə European Chips Act çərçivəsində 319 milyon avro həcmində dövlət dəstəyi alacaq. Məqsəd:
- Avropanın yarımkeçirici istehsal gücünü artırmaq
- Asiyadan asılılığı azaltmaq
- universitetlər, tədqiqat mərkəzləri və startap‑larla əməkdaşlığı gücləndirmək
Villax artıq Infineon‑un güc elektronikasının əsas mərkəzlərindən biridir və burada təxminən 4 800 əməkdaş çalışır. Yeni 300 mm GaN xətti həmin R&D fəaliyyətləri ilə sinerji yaradaraq enerji səmərəli çiplər sahəsində Avropanın mövqeyini gücləndirəcək.
Analitiklərin proqnozuna görə, GaN güc yarımkeçiriciləri bazarı 2031‑ə qədər təxminən 3,5 milyard dollar həcmə çatacaq və 2025–2031 aralığında illik təqribən 35% artım göstərəcək. 300 mm istehsala keçid Infineon‑a bu artımı kütləvi miqyasda qarşılamağa imkan verəcək.
Mənbə: Infineon Technologies, eeNews Europe · Üz şəkli: Infineon Technologies
